pretraga knjiga
knjige
Donirati
Prijaviti se
Prijaviti se
prijavljenim korisnicima su dostupni:
lične preporuke
Telegram bot
istorija preuzimanja
poslati na Email ili Kindle
upravljanje zbirkama
sačuvanje u izabrano
Lično
Upite za knjige
Proučavanje
Z-Recommend
Spiskovi knjiga
Najpopularnije
Kategorije
Učešće
Donirati
Otpremanja
Litera Library
Donirati papirne knjige
Dodati papirne knjige
Search paper books
Moj LITERA Point
Pretraga ključnih reči
Main
Pretraga ključnih reči
search
1
Компоненты МОП-интегральных микросхем
Румак Н.В.
пленок
кремния
поверхности
пленки
травления
подложки
рис
пластин
слоя
ния
роста
температуры
кислорода
скорость
диоксида
по
алюминия
заряда
осаждения
процесса
примесей
скорости
моп
толщины
окисла
пленках
типа
зависит
плотности
мкм
отжига
структуры
смеси
метод
окисления
свойства
толщиной
дефектов
процесс
слоев
концентрации
методом
оксида
реакции
помощью
метода
нитрида
ионов
фазы
слой
Jezik:
russian
Fajl:
PDF, 11.33 MB
Vaši tagovi:
0
/
0
russian
2
Теплофизические характеристики веществ № 1
ГСССД
В.А. Рабинович
значения
данные
данных
рис
расчета
свойств
ртути
значений
уравнения
состояния
град
свойства
веществ
температуры
температур
вязкости
табл
таблица
смеси
phys
плавления
данным
формуле
опытных
теплоемкости
уравнение
моль
зависимости
плотности
работе
температурах
уравнению
результаты
области
интервале
газов
зависимость
ккал
экспериментальных
точки
опытные
моносилана
термодинамических
soc
экспериментальные
кдж
определения
связей
расчет
погрешность
Godina:
1968
Jezik:
russian
Fajl:
DJVU, 4.74 MB
Vaši tagovi:
0
/
0
russian, 1968
3
Исследование самоорганизации нанокристаллитов в плазме СВЧ газового разряда низкого давления
Усанов Д.А.
,
Яфаров Р.К.
рис
кремния
поверхности
осаждения
свч
подложки
энергии
квантовых
плазме
размер
островков
разряда
электронов
газового
давления
зависимости
нанокристаллитов
пленки
самоорганизации
точек
механизм
моносилана
наноразмерных
рельефа
концентрации
материала
подложке
процесса
зародышей
квантовой
концентрация
кристаллитов
нановыступов
подложку
размеров
роста
слоя
энергия
высоты
давлении
квантовые
кремниевых
образования
получения
происходит
углублений
частицы
электрона
низкого
осаждении
Jezik:
russian
Fajl:
PDF, 675 KB
Vaši tagovi:
0
/
0
russian
1
Idite na
ovaj link
ili potražite bota „@BotFather“ u Telegramu
2
Pošaljite komandu /newbot
3
Navedite ime za svog bota
4
Navedite korisničko ime za bota
5
Kopirajte poslednju poruku od BotFather i ubacite je ovde
×
×